In Situ Uberwachung Der Mocvd-praparation Von Gallium- Und Indiumantimonid (German Edition)

Im Rahmen der Dissertation wurde die Präparation der III-V-Verbindungshalbleiter Galliumantimonid (GaSb) und Indiumantimonid (InSb) durch metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) systematisch mittels in situ Reflexions Anisotropie Spektroskopie (RAS) untersucht. Dabei wurden die empirisch gewonnenen RAS Signale mit der chemischen und elektronischen Struktur und insbesondere mit der atomaren Rekonstruktion bzw. Symmetrie der präparierten (100)-Halbleiteroberflächen korreliert. Durch die Hilfe eines patentierten Probentransfersystems kamen dafür Charakterisierungs­methoden der Oberflächenphysik im Ultrahochvakuum (UHV) zum Einsatz, wie zum Beispiel low-energy electron diffraction (LEED) und Photoelektronenspektroskopie (PES). Die in situ Überwachung der MOCVD-Präparation mit RAS wurde erfolgreich bei der kritischen Deoxidation der antimonhaltigen Substrate, bei der Suche nach günstigen Wachstumsparametern und für die Identifizierung der typischen Oberflächen­rekonstruktionen von GaSb(100) und InSb(100) unter MOCVD-Bedingungen eingesetzt. Die verschiedenen antimonreichen Rekonstruktionen von Gallium- und Indiumantimonid wurden darüber hinaus mit aktuellen empirischen und theoretischen Oberflächenmodellen assoziiert und ausführlich diskutiert. Die Ergebnisse liefern die Grundlagen für zukünftige Untersuchungen und Applikationen, wie zum Beispiel die Verbesserung der kritischen Präparation antimonhaltiger Grenzflächen von neuartigen III-V-Bauelementkomponenten.