TEM-Analysen an Gruppe III-Nitrid Heterostrukturen

Die hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie ist zur Analyse von Kristalldefekten in dünnen Schichten in besonderem Maße geeignet. Sie bietet die Möglichkeit, auftretende Defekte wie z.B. Versetzungen nach Typ, Verlauf und Dichte zu charakterisieren. Außerdem ermöglicht ihre hohe Ortsauflösung in Kombination mit entsprechenden Auswerteverfahren eine exakte Ermittlung der chemischen Zusammensetzung in dünnen Filmen auf atomarer Skala. Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurde die hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie zur Analyse von GaN basierten Diodenstrukturen genutzt. Im Zentrum des Interesses stand zum einen die Untersuchung der Reduzierung der Versetzungsdichte mittels unterschiedlicher Herstellungsverfahren (ELOG/FACELO) und mittels in situ abgeschiedener SiNx-Zwischenschichten in LED- und Laserstrukturen. Den zweiten Schwerpunkt stellte die Bestimmung der lokalen Zusammensetzung der optisch aktiven InxGa1-xN-Quantentröge mit Hilfe des DALI-Verfahrens dar.