Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich ... und Elektronik) (Volume 73) (German Edition)

Ziel ist der Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstaerkern fuer den Frequenzbereich von 200 bis ueber 250 GHz. Dafür sind verlaessliche und flexible Leitungs- und Transistormodelle notwendig. Sie werden erstellt und ihre Genauigkeit wird bis 325 GHz bestaetigt. Es wird ein Verstaerkerkonzept erarbeitet, das massgeschneidert fuer den Frequenzbereich und die MMIC-Technologie ist. Es nutzt einen neuartigen Koppler, der kompakte Verstaerker mit hoher Bandbreite und Ausgangsleistung ermoeglicht.