Kristallbaufehler und Metall-Halbleitergrenzflächen von (Bi,Sb)2(Te,Se)3 Materialien für die Peltierkühlung (German Edition)
Book Details
Author(s)Dirk Maier
PublisherDiplomarbeiten Agentur diplom.de
ISBN / ASIN3838650107
ISBN-139783838650104
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Description
Diplomarbeit, die am 14.12.2001 erfolgreich an einer Universität in Deutschland im Fachbereich Physik 13 eingereicht wurde. Einleitung: Diese Arbeit ist ein Beitrag zum mikroskopischen Verständnis von Bi2Te3 Materialien, die sich bei Raumtemperatur durch hohe thermoelektrische Gütefaktoren auszeichnen, und damit für zahlreiche technische Anwendungen, wie thermoelektrische Kühler und Generatoren, genutzt werden. Die mikrostrukturelle Untersuchungen, die mittels REM, Elektronenstrahl-Mikrosonde und TEM durchgeführt wurden hatten das Ziel, die genauen chemische Zusammensetzungen der untersuchten Materialien, sowie darin auftretende ausgedehnte Kristallbaufehler zu untersuchen. Dazu wurden REM- und TEM-Proben aus Peltierelementen komerzieller Hersteller präpariert. Die chemische Zusammensetzung der Proben wurde mittels ESMA bestimmt. Die chemische Zusammensetzung einer n-dotierten Probe wurde als Bi2(Te0.91Se0.09) bestimmt, die einer p-leitenden Probe als (Bi0.26Sb0.74)1.98(Te0.99Se0.01)3.02. Die genauere Auswertung der Atomzahlanteile von ca. 20 Messungen an einer Probe, ergab eine negative Korrelation der jeweils einander substituierenden chemischen Elemente, d.h. für p-dotiertes Material eine Sb-Bi Korrelation und für n-dotiertes Material eine Se-Te Korrelation. Es ergab sich weiterhin eine negative Bi-Te Korrelation in Messbereichen mit Oberflächenmorphologien. In den TEM Proben wurden in p- sowie n-dotiertem Material Spannungsfelder abgebildet. Die Kristallstruktur kann als mittlere Struktur verstanden werden, der ein sinusförmiges Verschiebungsfeld überlagert ist. Man kann ein solches Spannungsfeld als Spannungsdomänenstruktur auffassen. Sowohl im n-dotierten wie auch im p-dotierten Material wurden ausserdem Kleinwinkel-Kippkorngrenzen in einem Abstand von 200-800nm mittels TEM indentifiziert. Die auf Bi2Te3 Substraten galvanisch abgeschiedenen Metallisierungsschichten wurden mittels REM-Querschnittsanalyse untersucht. Diese Schichten haben Ra...
