Rentgenovskaya difraktometriya napryazhennykh nanostruktur: Vysokotemperaturnye sverkhprovodniki, sistemy Si(001)\SiGe, GaAs(001)\ZnCdSe, GaAs(001)\GaInAs (Russian Edition)

V uchebnom posobii rassmatrivaetsya kompleksnoe primenenie standartnykh i spetsial'no razrabotannykh metodik, realizuemykh na difraktometre Panalitical X’Pert Pro MRD, dlya vyyavleniya slabykh strukturnykh iskazheniy v napryazhennykh nanostrukturakh, okazyvayushchikh zametnoe vliyanie na ikh svoystva. Privedena lineynaya zavisimost' mezhdu parametrami modulirovannoy sverkhreshetki i znacheniem Ts v monokristallakh Bi-Sr-Cu-O, yavlyayushchayasya sledstviem ob"edineniya v edinuyu strukturu dvukh razlichnykh strukturnykh blokov. Opisano neskol'ko nepryamykh metodik vyyavleniya povyshennoy neravnovesnoy kontsentratsii vakansiy v kvantovykh yamakh (KYa) SiGe i poslerostovoy diffuzii v kvantovykh tochkakh Ge(Si). Dlya napryazhennykh periodicheskikh struktur s KYa ZnCdSe ili GaInAs privedeny metodiki obnaruzheniya diffuzionnogo razmytiya nizhnikh periodov struktury za vremya rosta verkhnikh periodov, a takzhe chastichnogo razlozheniya sostava. bar'ernykh sloev pri diffuzii v nikh komponentov iz KYa. Rabota prednaznachena dlya studentov i aspirantov, interesuyushchikhsya problemami materialovedeniya napryazhennykh nanostruktur vblizi predela ikh ustoychivosti. Ona mozhet byt' polezna i praktikuyushchim materialovedam, zanimayushchimsya strukturnoy diagnostikoy epitaksial'nykh struktur