Samsung SSD 850 EVO,  1 To  - SSD Interne SATA III 2.5" - MZ-75E1T0B/EU Buy on Amazon

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Samsung SSD 850 EVO,  1 To  - SSD Interne SATA III 2.5" - MZ-75E1T0B/EU

PublisherSamsung

Book Details

PublisherSamsung
ISBN / ASINB00P738MUU
ISBN-13978B00P738MU4
Sales Rank99,999,999
MarketplaceFrance  🇫🇷

Description

L'architecture unique de la mémoire flash V-NAND 3D de Samsung est une avancée technologique permettant de dépasser les limites de densité, les performances et l'endurance de l'architecture NAND plane traditionnelle. Fabriquée en empilant 32 couches de cellules verticalement au lieu de réduire la taille des cellules et de s'inscrire dans un espace horizontal fixe, la V-NAND 3D permet d'augmenter la densité ainsi que les performances tout en limitant son empreinte. Description du produit Samsung 850 EVO MZ-75E1T0 - lecteur à état solide - 1 To - SATA 6Gb/s Type Lecteur à état solide - interne Capacité 1 To Facteur de forme 2.5" Interface SATA 6Gb/s Débit de transfert de données 600 Mo/s Taille de la Mémoire Tampon 1 Go Caractéristiques Self Encrypting Drive (SED), chiffrement intégral du disque (FDE), prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, cache DRAM, mode DevSleep, TCG Opal Encryption 2.0, 3D V-NAND Technology, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), prise en charge du mode RAPIDE, TurboWrite Technology, Low Power DDR2 SDRAM Cache, Samsung MEX Controller , S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667 Dimensions (LxPxH) 69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm Poids 66 g Garantie du fabricant 5 ans de garantie Général Type de périphérique Lecteur à état solide - interne Capacité 1 To Facteur de forme 2.5" Interface SATA 6Gb/s Taille de la mémoire tampon 1 Go Caractéristiques Self Encrypting Drive (SED), chiffrement intégral du disque (FDE), prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, cache DRAM, mode DevSleep, TCG Opal Encryption 2.0, 3D V-NAND Technology, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), p

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